[发明专利]一种基于协同效应的有机场效应管湿度传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810003665.6 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108287189B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 于军胜;庄昕明;侯思辉;杨祖崇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金琼;刘东<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于协同效应的有机场效应管湿度传感器及其制备方法，所述有机场效应管从上到下依次为衬底、栅电极、介电层、介电修饰层、半导体层、源电极和漏电极。所述介电层修饰层为有机介电材料和偏钨酸铵的混合材料，所述半导体层为有机半导体材料与偏钨酸铵的混合材料。本发明通过引入含偏钨酸铵有效的提升器件性能及其对湿度的检测能力。偏钨酸铵的引入一方面半导体层形成多介孔结构，另一方面偏钨酸铵的分解，减小了半导体晶粒之间的间隙势垒，有效的提升了器件的性能，更适宜大规模、快速产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 偏钨酸铵 有机场效应管 半导体层 湿度传感器 混合材料 协同效应 介电层 制备 有机半导体材料 有机介电材料 半导体晶粒 产业化生产 介电修饰层 从上到下 介孔结构 提升器件 漏电极 修饰层 源电极 栅电极 引入 衬底 减小 势垒 分解 检测 | ||
【主权项】：
1.一种基于协同效应的有机场效应管湿度传感器，从上到下依次包括衬底、栅电极、介电层、介电修饰层、半导体层、源电极和漏电极，其特征在于：所述介电修饰层由有机介电材料和偏钨酸铵的混合材料制成，所述偏钨酸铵的质量百分数为30%～50%，将偏钨酸铵与有机介电材料进行按比例超声混合，用混合后的溶液在介电层上制备介电修饰层，并对所述介电修饰层进行70℃低温烘干；所述半导体层由可溶性有机半导体材料和偏钨酸铵的混合材料制成，所述半导体层中偏钨酸铵的质量百分数为10%～30%，将偏钨酸铵与可溶性有机半导体材料进行按比例超声混合，用混合后的溶液在所述介电修饰层上制备半导体层，并用130℃以上温度进行退火处理。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810003665.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
