[发明专利]一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法在审
| 申请号： | 201810003744.7 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108375601A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 张光辉;董鹏;宋宇;杨萍;李沫;代刚;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G01N24/10 | 分类号： | G01N24/10 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法，其原理是，首先向氧化硅薄膜样品中注入载流子，使中性氧空位缺陷变成带正电的氧空位缺陷；然后表征已知浓度的标准样品和氧化硅薄膜样品的电子顺磁共振谱；最后根据氧化硅薄膜样品与标准样品对微波吸收强度的对比，定量计算出氧化硅薄膜中氧空位缺陷的浓度。本发明测量方法简单，容易掌握，对于半导体器件氧化层中缺陷研究具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化硅薄膜 氧空位缺陷 标准样品 测量 氧空位 载流子 电子顺磁共振谱 半导体器件 定量计算 空位缺陷 缺陷研究 微波吸收 重要意义 氧化层 中性氧 | ||
【主权项】：
1.一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法，其特征在于具体步骤如下：步骤S1，将氧化硅薄膜样品切割成细长条状；步骤S2，将1,1‑二苯基‑2‑三硝基苯肼和KCl粉末混合，研磨混合均匀，配制质量浓度为![]()
的DPPH标准样品；步骤S3，对切割好的氧化硅薄膜样品进行γ射线辐照，在氧化硅薄膜中产生电子空穴对，氧化硅薄膜样品中的中性氧空位在俘获空穴后会变成带正电的氧空位，存在未配对电子，通过电子顺磁共振进行表征；步骤S4，准确称量质量为![]()
、浓度为![]()
的DPPH标准样品，表征氧化硅薄膜样品和DPPH标准样品的电子顺磁共振谱；步骤S5，根据电子顺磁共振谱分别积分出氧化硅薄膜样品和标准样品对微波的吸收强度![]()
和![]()
，然后得到氧化硅薄膜中氧空位的平均面密度![]()
。
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