[发明专利]一种电致变色材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 201810004358.X | 申请日: | 2018-01-03 |
公开(公告)号: | CN109988551B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 胡秀杰;刘胜男;孙承华;周树云 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所;中国科学院大学 |
主分类号: | C09K9/00 | 分类号: | C09K9/00 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 赵晓丹 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种电致变色材料及其制备方法和应用,所述电致变色材料为ZnO纳米阵列‑聚(3,4‑二氧乙基)噻吩复合材料;所述ZnO纳米阵列‑聚(3,4‑二氧乙基)噻吩复合材料包括ZnO纳米阵列层和形成于ZnO纳米阵列层表面的聚(3,4‑二氧乙基)噻吩材料层。所述电致变色材料是通过在基底上形成垂直于基底的ZnO纳米阵列,在ZnO纳米阵列表面均匀复合聚(3,4‑二氧乙基)噻吩制得。本发明的电致变色材料具有有序的纳米阵列结构、高的比表面积、提供了良好的电接触和电子通路、提高了聚合物在电致变色应用时的电子传输性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 变色 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种电致变色材料,其特征在于,所述电致变色材料为ZnO纳米阵列‑聚(3,4‑二氧乙基)噻吩复合材料;所述ZnO纳米阵列‑聚(3,4‑二氧乙基)噻吩复合材料包括ZnO纳米阵列层和形成于ZnO纳米阵列层表面的聚(3,4‑二氧乙基)噻吩材料层。
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