[发明专利]RTM工艺辅助制备碳化硅陶瓷基复合材料构件的方法有效
| 申请号： | 201810005099.2 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108101566B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 吴宝林;侯振华 | 申请（专利权）人： | 江西嘉捷信达新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人： | 刘坦 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种RTM工艺辅助制备碳化硅陶瓷基复合材料构件的方法，制备方法包括步骤：采用化学气相沉积法，在SiC纤维预制体表面沉积C/SiC双界面层，得到带界面涂层的SiC纤维预制体；将带界面涂层的SiC纤维预制体为增强体，以全氢聚碳硅烷为先驱体，采用RTM工艺辅助PIP工艺对增强体进行浸渍固化，得到经过界面改性的SiC/SiC复合材料；将经过界面改性的SiC/SiC复合材料进行致密化，得到碳化硅陶瓷基复合材料构件。本发明通过引进C/SiC界面层来避免陶瓷材料的脆性断裂模式，同时采用新型先驱体全氢聚碳硅烷和RTM工艺来减小制品孔隙率和缩短制备周期。 | ||
| 搜索关键词： | rtm 工艺 辅助 制备 碳化硅 陶瓷 复合材料 构件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备碳化硅陶瓷基复合材料构件的方法，其特征在于，包括步骤：S1：采用化学气相沉积法，在SiC纤维预制体表面沉积C/SiC双界面层，得到带界面涂层的SiC纤维预制体；S2：将所述带界面涂层的SiC纤维预制体为增强体，以全氢聚碳硅烷为先驱体，采用RTM工艺辅助PIP工艺对所述增强体进行浸渍固化，得到经过界面改性的SiC/SiC复合材料；S3：将所述经过界面改性的SiC/SiC复合材料进行致密化，得到碳化硅陶瓷基复合材料构件。
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