[发明专利]一种制备磁性随机存储器存储单元与逻辑单元的方法有效
| 申请号： | 201810005518.2 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN109994602B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N59/00 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备磁性随机存储器存储单元与逻辑单元的方法，包括如下步骤：步骤一、提供表面抛光的带金属通孔的CMOS基底，在基底上依次沉积底电极金属层、磁性隧道结多层膜、顶电极膜层和牺牲掩模层，刻蚀形成磁性隧道结和底电极；步骤二、同时在存储区域制备位线通孔和在逻辑区域制备逻辑通孔；步骤三、填充位线通孔和逻辑通孔并磨平。本发明采用自对准的方式对磁性隧道结底电极(BE)进行刻蚀，通过调整自对准掩模的侧壁厚度，从而可以精确控制磁性隧道结底电极的尺寸；在不同区域不同厚度的刻蚀阻挡层，极大地降低了逻辑通孔/位线通孔的深度差异带来的刻蚀的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 磁性 随机 存储器 存储 单元 逻辑 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备磁性随机存储器存储单元与逻辑单元的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供表面抛光的带金属通孔的CMOS基底，在所述基底上依次沉积底电极金属层、磁性隧道结多层膜、顶电极膜层和牺牲掩模层，刻蚀形成磁性隧道结和底电极；步骤二、同时在存储区域制备位线通孔和在逻辑区域制备逻辑通孔；步骤三、填充所述位线通孔和所述逻辑通孔并磨平。
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