[发明专利]晶圆键合方法有效
| 申请号： | 201810005643.3 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108203076B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 刘玮荪;冯凯;黄锦才 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 提供一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括第一键合面，所述第二晶圆包括第二键合面；在所述第一键合面上形成第一互连层；在所述第一互连层表面形成第二互连层，所述第一互连层位于所述第一键合面和第二互连层之间；在所述第二键合面上形成第三互连层；使所述第三互连层和第二互连层相互贴合，且所述第三互连层位于第二互连层与第二晶圆之间；使所述第三互连层和第二互连层相互贴合之后，对所述第二互连层和第三互连层进行键合处理，使所述第三互连层与第二互连层反应，形成互连部，所述键合处理的温度小于第三互连层与第一互连层的共晶温度。所述晶圆键合方法能够有效控制第一键合面和第二键合面之间的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括第一键合面，所述第二晶圆包括第二键合面；在所述第一键合面上形成第一互连层，在沿平行于所述第一键合面的方向上，所述第一互连层的尺寸小于所述第一键合面的尺寸；在所述第一互连层表面形成第二互连层，所述第一互连层位于所述第一键合面和第二互连层之间；在所述第二键合面上形成第三互连层，所述第三互连层与第二互连层的共晶温度小于所述第三互连层与第一互连层的共晶温度；使所述第三互连层和第二互连层相互贴合，且所述第三互连层位于第二互连层与第二晶圆之间；使所述第三互连层和第二互连层相互贴合之后，对所述第二互连层和第三互连层进行键合处理，形成互连部，所述键合处理的温度小于第三互连层与第一互连层的共晶温度，并使所述第三互连层与第二互连层反应。
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