[发明专利]一种大面积超薄高晶态二维共轭高分子薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810005979.X | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN109988325B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 董焕丽;燕青青;胡文平;姚奕帆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08G61/12;C08G61/02 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞;谢怡婷 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积超薄高晶态二维共轭高分子薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法是利用化学气相沉积法，使固体源在基底表面进行界面共聚反应，制备得到二维共轭高分子薄膜。所述方法是一种普适性好、操作简便、低成本、低温常压、具备大批量生产能力的方法。所述二维共轭高分子薄膜的面积可以达到厘米尺寸以上；所述二维共轭高分子薄膜的厚度可以为20纳米以内；所述二维共轭高分子薄膜的面积为1平方厘米以上，厚度为0.1‑20nm；所述二维共轭高分子薄膜可以用于电子器件、光电、光伏、太阳能电池、能量存储、气体存储和分离、场效应晶体管中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 超薄 晶态 二维 共轭 高分子 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种二维共轭高分子薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法是利用化学气相沉积法，使芳香族共轭单体固体源在基底表面进行界面共聚反应，制备得到二维共轭高分子薄膜。
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