[发明专利]制造射频谐振器和滤波器的方法

摘要

一种制造由谐振器阵列组成的RF滤波器的方法，包括：获得可移除载体；生长压电薄膜；施加第一电极到薄膜；在硅盖上制备背膜；将背膜附接至第一电极；分离可移除载体；测量和修整压电薄膜；制造谐振器岛；向下蚀刻穿过涂层和背膜，至二氧化硅层以形成沟槽；将钝化层施加至沟槽和压电岛；沉积第二电极层；添加连接至转接线路板；移除第二电极材料以留出谐振器阵列；于阵列周界建造围绕垫圈；将硅盖削薄；在硅盖上钻孔，蚀刻掉二氧化硅，在背膜和硅盖之间制造上腔体；将晶圆分割成单元滤波器阵列；获取转接线路板；将大坝施加于转接线路板；通过回流焊接锡头将单元滤波器阵列耦合至转接线路板；使用聚合物进行底部封装；以及分离成滤波器模块。

主权项

1.一种制造一由谐振器阵列组成的RF滤波器的方法，包括以下步骤：(a)获得拥有释放层的可移除载体；(b)在可移除载体上生长压电薄膜；(c)将第一电极施加到所述压电薄膜；(d)在硅盖上制备背膜，在所述背膜和所述硅盖之间存在或不存在预制的腔体；(e)将所述背膜附接至所述第一电极；(f)分离所述可移除载体；(g)根据需要测量和修整所述压电薄膜；(h)选择性地蚀刻掉压电层以制造离散的谐振器岛；(i)向下蚀刻穿过涂层和背膜，至在所述背膜和所述硅盖之间的二氧化硅层以形成沟槽；(j)将绝缘层施加至所述沟槽和所述压电岛周围；(k)在压电薄膜岛和周围的绝缘层上沉积第二电极层；(l)添加连接用于后续电气耦合至转接线路板；(m)选择性地移除第二电极材料以留出耦合的谐振器阵列；(n)于谐振器阵列的周界建造围绕垫圈；(o)将硅盖削薄至期望的厚度；(p)可选地，通过在硅盖上钻孔，然后选择性地蚀刻掉二氧化硅，达成在所述背膜和所述硅盖之间制造上腔体；(q)将晶圆分割成倒装芯片封装的单元滤波器阵列；(r)获取转接线路板；(s)可选地，将大坝施加于所述转接线路板的表面以阻止溢出；(t)通过回流焊接锡头将所述倒装芯片封装的单元滤波器阵列耦合至所述转接线路板的垫板；(u)使用聚合物进行底部填充/过填充封装；以及(v)分离成独立的滤波器模块。