[发明专利]横向绝缘栅双极晶体管及其制作方法

摘要

本发明实施例提供一种横向绝缘栅双极晶体管及其制作方法，通过在衬底上形成一层第一N埋层，并在第一N埋层上形成一层埋氧层，形成的埋氧层仅部分覆盖第一N埋层，然后在阳极使用重掺杂N区来阻止空穴注入衬底，同时在埋氧层下方设置的第一N埋层既能够充当第二条导电通道，减小通态压降，又与衬底相接触扩大了耗尽区，提高了击穿电压，第一N埋层在阴极端也与P体区构成了一个反偏PN结阻止了空穴的泄漏；且由于埋氧层并没有完全将衬底上方的漂移区与衬底隔离，因此工作产生的热量可以通过衬底散发出去，降低自热效应，提升散热效率，同时可以利用衬底承压，可进一步提高击穿电压。

主权项

1.一种横向绝缘栅双极晶体管，包括：衬底，形成于所述衬底上的第一N埋层，形成于所述第一N埋层上将所述第一N埋层部分覆盖的埋氧层，形成于所述埋氧层之上的漂移区，形成于所述漂移区左侧的阴极P体区，以及形成于所述漂移区右上侧的阳极N缓冲区，所述阴极P体区的下端与所述埋氧层接触，且所述阴极P体区的底部直接与所述第一N埋层的上表面接触形成反偏PN结；还包括在所述阴极P体区内从左往右依次形成的阴极P+区以及第一阴极N+区，在所述阳极N缓冲区内形成的阳极P+区，阳还包括设置在所述阴极P+区上表面和第一阴极N+区的部分上表面的阴极，设置在所述第一阴极N+区右侧上表面、阴极P体区的上表面和漂移区部分上表面部分的第一栅极，以及设置在所述阳极P+区的上表面的阳极；还包括竖跨所述阳极N缓冲区设置的阳极重掺杂N+区，所述阳极重掺杂N+区上端与所述阳极接触，下端与所述埋氧层和所述第一N埋层接触。