[发明专利]具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件有效
| 申请号： | 201810010042.1 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108231870B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李琦;张昭阳;李海鸥;陈永和;张法碧;傅涛;袁雷雷 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 陈跃琳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够产生界面电荷，增强了表面横向电场，提高了表面横向耐压的具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件。该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件包括由上至下依次设置的漂移区、埋层一、衬底；所述漂移区的上方设置有埋层二，所述埋层二上方设置有表面结构；所述埋层二上设置有延伸到漂移区内的介质槽二，所述介质槽二沿横向均匀分布。采用该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件击穿电压能够达到427V,传统槽栅结构击穿电压为258V，提升了65.5％。采用具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件等势线分布均匀，电荷屏蔽效应使得表面高压对漂移区的作用降低，大幅提高漂移区浓度，降低电阻，提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 界面 电荷 高压 互连 结构 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件，包括由上至下依次设置的漂移区(300)、埋层一(200)、衬底(100)；所述漂移区(300)上设置有N+漏区、漏电极(700)、栅电极、源电极、N+接触区、p阱(400)以及P+源区；其特征在于：所述漂移区(300)的上方设置有埋层二(500)，所述埋层二(500)上方设置有表面结构(600)；所述埋层一(200)上设置有延伸到漂移区(300)内的纵向的介质槽一(201)，所述介质槽一(201)沿横向均匀分布；所述埋层二(500)上设置有延伸到漂移区(300)内的介质槽二(501)，所述介质槽二(501)沿横向均匀分布。
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