[发明专利]衬底沟槽中具有浮栅的双位非易失性存储器单元

摘要

本发明公开了双位存储器单元，所述双位存储器单元包括在半导体衬底的所述上表面的第一沟槽和第二沟槽中形成的间隔开的第一浮栅和第二浮栅。擦除栅或一对擦除栅分别设置在所述浮栅上方并且与所述浮栅绝缘。字线栅设置在介于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述上表面的一部分上方并且与所述第一沟槽和所述第二沟槽绝缘。在所述第一沟槽下方的所述衬底中形成第一源极区，并且在所述第二沟槽下方的所述衬底中形成第二源极区。所述衬底的连续沟道区沿着所述第一沟槽的侧壁、沿着介于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述上表面的所述部分、沿着所述第二沟槽的侧壁，从所述第一源极区延伸并且到所述第二源极区。

主权项

1.双位存储器单元，包括：具有上表面的半导体衬底；在所述上表面中形成并且彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽；设置在所述第一沟槽中并且与所述衬底绝缘的导电材料的第一浮栅；设置在所述第二沟槽中并且与所述衬底绝缘的导电材料的第二浮栅；设置在所述第一浮栅上方并且与所述第一浮栅绝缘的导电材料的第一擦除栅；设置在所述第二浮栅上方并且与所述第二浮栅绝缘的导电材料的第二擦除栅；设置在介于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述上表面的一部分上方并且与介于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述上表面的一部分绝缘的导电材料的字线栅；在所述第一沟槽下方的所述衬底中形成的第一源极区；在所述第二沟槽下方的所述衬底中形成的第二源极区；其中所述衬底的连续沟道区沿着所述第一沟槽的侧壁、沿着介于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述上表面的所述部分、沿着所述第二沟槽的侧壁，从所述第一源极区延伸并且到所述第二源极区。