[发明专利]一种用于相变存储器的SbSe/Sb多层相变薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810011236.3 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108365088A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 胡益丰;郭璇;张锐;尤海鹏;朱小芹;邹华 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 张文杰 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种用于相变存储器的SbSe/Sb多层相变薄膜材料，其特征在于，包括单层SbSe薄膜和单层Sb薄膜交替排列成多层膜结构，其化学通式为[SbSe(a)/Sb(b)]x，式中a、b分别表示所述的单层SbSe薄膜和单层Sb薄膜的厚度，1≤a≤50nm，1≤b≤50nm，x表示单层SbSe和单层Sb薄膜的交替周期数或者交替层数，且x为正整数，相SbSe/Sb多层相变薄膜的总厚度为50nm。本发明的SbSe/Sb多层相变薄膜材料能够应用于相变存储器，与传统的相变薄膜材料相比具有如下优点：SbSe和Sb薄膜材料复合后达到优势互补，协同作用，在SbSe\Sb复合方式下加快了相变速度，在SbSe\Sb复合方式下热稳定性得到提高，提升了相变存储器的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 相变存储器 薄膜 多层相变薄膜材料 复合方式 相变薄膜材料 多层膜结构 薄膜材料 化学通式 交替排列 交替周期 热稳定性 相变薄膜 综合性能 传统的 交替层 正整数 多层 式中 制备 复合 应用 | ||
【主权项】：
1.一种用于相变存储器的SbSe/Sb多层相变薄膜材料，其特征在于，包括单层SbSe薄膜和单层Sb薄膜交替排列成多层膜结构，其化学通式为[SbSe(a)/Sb(b)]x，式中a、b分别表示所述的单层SbSe薄膜和单层Sb薄膜的厚度，1≤a≤50nm，1≤b≤50nm，x表示单层SbSe和单层Sb薄膜的交替周期数或者交替层数，且x为正整数，相SbSe/Sb多层相变薄膜的总厚度为50nm。
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