[发明专利]掺杂方法

摘要

本发明公开了一种掺杂方法，包括：在第一导电类型衬底上形成预掺杂层；在该预掺杂层上设置第一掩膜，该预掺杂层上未被该第一掩膜遮挡的部分为第一开放区域；在该第一开放区域形成第二导电类型掺杂区；在该预掺杂层上设置第二掩膜，该预掺杂层上未被该第二掩膜遮挡的部分为第二开放区域，该第二开放区域和该第一开放区域完全不重叠；在该第二开放区域形成第一导电类型掺杂区，第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区被未经掺杂的预掺杂层隔离开。在对IBC电池进行掺杂时，引入了非晶硅或多晶硅，通过将尺寸合适的掩膜置于束流和衬底之间来阻挡部分区域的离子注入。通过掩膜的合理设置，最终以多晶硅来实现P区和N区之间的隔离。

主权项

1.一种掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：T1：在一第一导电类型衬底上形成一预掺杂层；T2：在该预掺杂层上设置一第一掩膜，该预掺杂层上未被该第一掩膜遮挡的部分为第一开放区域；T3：对该第一开放区域进行第二导电类型离子注入，以在该第一开放区域形成第二导电类型掺杂区，之后使该第一导电类型衬底离开该第一掩膜的作用区域；T4：在该预掺杂层上设置一第二掩膜，该预掺杂层上未被该第二掩膜遮挡的部分为第二开放区域，其中该第二开放区域和该第一开放区域完全不重叠；T5：对该第二开放区域进行第一导电类型离子注入，以在该第二开放区域形成第一导电类型掺杂区，之后使该第一导电类型衬底离开该第二掩膜的作用区域，其中该第一导电类型掺杂区和该第二导电类型掺杂区被未经掺杂的预掺杂层隔离开。