[发明专利]有机晶体管、阵列基板、显示装置及相关制备方法有效
| 申请号： | 201810012058.6 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108183165B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张骥;胡威威;陈亮;高锦成;惠官宝 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 朱亲林 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机晶体管、阵列基板、显示装置及相关制备方法，属于显示器相关技术领域，所述有机晶体管的制备方法包括：在有机绝缘层上制备光刻胶并显影形成用于容纳有机单晶的限制阱；在所述限制阱中依次加入有机半导体溶液和正交溶剂；通过退火使得所述正交溶剂挥发，诱导有机单晶在所述限制阱中定向生长；清除所述光刻胶并将得到的有机单晶层作为有源层。本申请所述有机晶体管、阵列基板、显示装置及相关制备方法不仅能够提供一种高效可靠的有机单晶层制备方法，而且能够在柔性显示设备中低温制备有机单晶并作为有源层，得到迁移率和稳定性更高的有机晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 晶体管 阵列 显示装置 相关 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机单晶层的制备方法，其特征在于，包括：在预设形状的限制阱中依次加入有机半导体溶液和正交溶剂；通过退火使得所述正交溶剂挥发，诱导有机单晶在所述限制阱中定向生长并得到有机单晶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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