[发明专利]一种提高发光二极管内量子效率的方法有效
| 申请号： | 201810012608.4 | 申请日： | 2018-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108231964B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李丹丹 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州海藻专利代理事务所(普通合伙) 44386 | 代理人： | 张大保 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高发光二极管内量子效率的方法，包括提供一衬底，在所述衬底上依次形成第一接触层、有源层、第二接触层，所述有源层包括周期性层叠的量子阱层和量子垒层，至少其中之一相邻量子阱层和量子垒层形成时生长速率之比为1:(0.90～1.10)且该相邻量子阱层和量子垒层为连续形成。本发明通过相差较小的生长速率在形成量子阱层结束后直接形成量子垒层，实现连续生长，不需进行状态切换，降低接触界面应力和压电极化，提高发光二极管内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光二极管 量子 效率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高发光二极管内量子效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成第一接触层；在所述第一接触层上形成有源层；在所述有源层上形成第二接触层；其中有源层包括周期性层叠的量子阱层和量子垒层，至少其中之一相邻量子阱层和量子垒层形成时生长速率之比为1:(0.90～1.10)且该相邻量子阱层和量子垒层为连续形成。
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