[发明专利]高效节能LED制备工艺在审
| 申请号： | 201810012660.X | 申请日： | 2018-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108258087A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李丹丹 | 申请（专利权）人： | 李丹丹 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区创新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高效节能LED制备工艺，包括通过金属有机化学气相沉积工艺依次沉积在衬底上的缓冲层、N型GaN层、发光层、P型GaN层；所述发光层包括周期性层叠的量子阱层和量子垒层，所述周期性层叠的量子阱层、量子垒层至少其中之一为高压量子阱层、低压量子垒层，形成所述高压量子阱层的压力高于形成所述低压量子垒层的压力。本发明通过高压将铟掺入氮化镓中，避免了通过降低生长温度来提高铟的掺入量，可实现在更高的温度下沉积量子阱层，得到的量子阱层结晶质量更好；同时成本低廉，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱层 量子垒层 高效节能 制备工艺 发光层 沉积 金属有机化学气相沉积 掺入量 氮化镓 缓冲层 掺入 衬底 生长 | ||
【主权项】：
1.一种高效节能LED制备工艺，其特征在于，包括通过金属有机化学气相沉积工艺依次沉积在衬底上的缓冲层、N型GaN层、发光层、P型GaN层；所述发光层包括周期性层叠的量子阱层和量子垒层，所述周期性层叠的量子阱层、量子垒层至少其中之一为高压量子阱层、低压量子垒层，形成所述高压量子阱层的压力高于形成所述低压量子垒层的压力。
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