[发明专利]在专用沟槽中具有浮栅的非易失性存储器单元

摘要

本发明题为“在专用沟槽中具有浮栅的非易失性存储器单元”。本发明提供了一对存储器单元，所述存储器单元包括：形成于半导体衬底的上表面中的间隔开的第一沟槽和第二沟槽，以及设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一浮栅和第二浮栅。第一字线栅和第二字线栅分别设置在所述上表面的与所述第一浮栅和所述第二浮栅相邻的部分上方并与所述部分绝缘。源极区在所述衬底中横向地形成在所述第一浮栅和所述第二浮栅之间。第一沟道区和第二沟道区分别在所述第一沟槽和所述第二沟槽下方、分别沿着所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁以及分别沿着所述上表面的设置在所述第一字线栅和所述第二字线栅下方的部分从所述源极区延伸。所述第一沟槽和所述第二沟槽分别仅包含所述第一浮栅和所述第二浮栅以及绝缘材料。

主权项

1.一对存储器单元，包括：具有上表面的半导体衬底；形成于所述上表面中并彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽；设置在所述第一沟槽中并与所述衬底绝缘的导电材料的第一浮栅；设置在所述第二沟槽中并与所述衬底绝缘的导电材料的第二浮栅；具有延伸到所述上表面中的第一部分的导电材料的擦除栅，并且所述擦除栅横向地设置在所述第一浮栅和所述第二浮栅之间并与所述第一浮栅和所述第二浮栅绝缘；设置在所述上表面的与所述第一浮栅相邻的部分上方并与所述部分绝缘的导电材料的第一字线栅；设置在所述上表面的与所述第二浮栅相邻的部分上方并与所述部分绝缘的导电材料的第二字线栅；在所述衬底中横向地形成在所述第一浮栅和所述第二浮栅之间并垂直地位于所述擦除栅的所述第一部分下方的源极区；形成在所述上表面的与所述第一字线栅相邻的部分中的第一漏极区；形成在所述上表面的与所述第二字线栅相邻的部分中的第二漏极区；其中所述衬底的第一沟道区从所述源极区延伸到所述第一漏极区，包括至少在所述第一沟槽下方延伸、沿着所述第一沟槽的侧壁延伸以及沿着所述上表面的设置在所述第一字线栅下方的一部分延伸；并且其中所述衬底的第二沟道区从所述源极区延伸到所述第二漏极区，包括至少在所述第二沟槽下方延伸、沿着所述第二沟槽的侧壁延伸以及沿着所述上表面的设置在所述第二字线栅下方的一部分延伸。