[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包含以下步骤：提供具有一第一区与一第二区定义于其上的一基板，形成一第一掩模结构于该基板上方，形成多个第一构件于该第一区的第一掩模结构中，形成一第二掩模结构于该第一掩模结构上方，同时形成多个第二构件于该第二区中的该第二掩模结构中与多个第三构件于该第一区中的该第二掩模结构中，以及将所述多个第二构件与所述多个第三构件转移至该第一掩模结构，以同时形成多个岛构件于该第一区中及多个线构件于该第二区中。该制造方法可在该第一区中形成复杂且精细的岛构件，且同时在第二区中形成细线构件因此缩短工艺期间。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，包括：提供一基板，该基板包括一第一区与一第二区定义于其上；形成一第一掩模结构于该基板上方；在该第一区中的该第一掩模结构中形成延伸于一第一方向的多个第一构件；形成一第二掩模结构于该第一掩模结构上方；同时形成多个第二构件于该第二区中及多个第三构件于该第二掩模结构中的第一区中，该多个第二构件延伸于该第一方向且该多个第三构件延伸于一第二方向，该第二方向不同于该第一方向；以及转移该多个第二构件与该多个第三构件至该第一掩模结构，以同时形成多个岛构件于该第一区中及多个线构件于该第二区中。