[发明专利]采用蒸发镀膜制备倾斜纳米线阵列结构碲化锑基膜的方法有效
| 申请号： | 201810014599.2 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN108220879B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 谭明;郝延明;谢宁;秦月婷;焦永芳;吴泽华 | 申请（专利权）人： | 天津科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24 |
| 代理公司： | 12107 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘英兰 |
| 地址： | 300222 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用蒸发镀膜制备倾斜纳米线阵列结构碲化锑基膜的方法，制备步骤包括：(1)将质量百分比纯度为99.99％的Sb | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米线阵列结构 混合材料 蒸发镀膜 碲化锑 基膜 沉积 压制 氮气 真空镀膜机 质量百分比 超声清洗 氮气吹干 交流电源 输出电流 无水乙醇 真空室 质量比 丙酮 成块 放入 基底 块体 水中 温升 钨舟 加热 离子 并用 室内 | ||
【主权项】：
1.一种采用蒸发镀膜制备倾斜纳米线阵列结构碲化锑基膜的方法，其特征在于包括以下制备步骤：/n(1)将质量百分比纯度为99.99％的Sb
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