[发明专利]一种超声波传感器的制造方法在审
| 申请号： | 201810015600.3 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN108183163A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 季锋;闻永祥;刘琛 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/083 | 分类号： | H01L41/083;H01L41/27 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种超声波传感器的制造方法。所述方法包括：在半导体衬底中形成阱区，所述阱区围绕第一区域；在所述第一区域中形成掺杂区；在所述第一区域中形成空腔，所述掺杂区位于所述空腔的上方，并且包括到达所述空腔的多个开口；在所述掺杂区上方形成支撑层，所述支撑层封闭所述多个开口；以及在所述支撑层上形成压电叠层。该方法在压电叠层的下方形成空腔以减小应力影响和改善声学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 空腔 第一区域 掺杂区 支撑层 超声波传感器 压电叠层 阱区 开口 声学性能 应力影响 衬底 减小 半导体 制造 封闭 申请 | ||
【主权项】：
1.一种超声波传感器的制造方法，包括：在半导体衬底中形成阱区，所述阱区围绕第一区域；在所述第一区域中形成掺杂区；在所述第一区域中形成空腔，所述掺杂区位于所述空腔的上方，并且包括到达所述空腔的多个开口；在所述掺杂区上方形成支撑层，所述支撑层封闭所述多个开口；以及在所述支撑层上形成压电叠层。
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