[发明专利]一种晶圆芯片的切割方法有效

专利信息
申请号: 201810015647.X 申请日: 2018-01-08
公开(公告)号: CN108214954B 公开(公告)日: 2019-04-02
发明(设计)人: 陈智伟;黄琮诗;池育维 申请(专利权)人: 福建省福联集成电路有限公司
主分类号: B28D5/02 分类号: B28D5/02;B28D7/00
代理公司: 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 代理人: 林祥翔;徐剑兵
地址: 351117 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种晶圆芯片的切割方法,包括步骤:刀具根据预设的进刀方向以第一刀高在晶圆工件上切开第一切痕,该第一切痕深度小于所述晶圆工件的厚度;刀具在所述第一切痕的基础上根据预设进刀方向的反方向以第二刀高在晶圆工件上切开第二切痕,第二切痕的厚度大于所述晶圆工件的厚度;刀具以预设的进刀顺序对晶圆工件进行切割,所述刀具只有一侧裸露有硬质颗粒。本发明减少了传统玻璃晶圆切割方法带来的崩边问题,并避免了黑膜脱落并残留在蓝膜上,可最大限度地抑制切割芯片时产生的背面崩裂及芯片破损,有效提高了提高芯片抗折强度。
搜索关键词: 晶圆 芯片 刀具 切割 进刀 预设 切痕 种晶 切开 崩裂 传统玻璃 晶圆切割 硬质颗粒 反方向 崩边 黑膜 抗折 蓝膜 破损 背面 裸露 残留
【主权项】:
1.一种晶圆芯片的切割方法,其特征在于,包括步骤:刀具根据预设的进刀方向以第一刀高在晶圆工件上切开第一切痕,该第一切痕深度小于所述晶圆工件的厚度;刀具在所述第一切痕的基础上根据预设进刀方向的反方向以第二刀高在晶圆工件上切开第二切痕,第二切痕的厚度大于所述晶圆工件的厚度;刀具以预设的进刀顺序对晶圆工件进行切割,所述刀具只有一侧裸露有硬质颗粒,另一侧为光滑面;晶圆为硅半导体集成电路制作所用的硅晶片;切割方向是相对晶圆工件的0°、90°、180°、270°,切割的先后顺序为预设的进刀顺序,预设的进刀顺序是这四个角度的任意组合形成的先后顺序。
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