[发明专利]一种基于全相位预处理的MVDR波束形成方法有效
| 申请号： | 201810018101.X | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110018465B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 郑恩明;陈新华;李媛;宋春楠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | G01S7/537 | 分类号： | G01S7/537;G01S15/88 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 陈琳琳;张红生 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于全相位预处理的MVDR波束形成方法，包括：根据线列阵接收数据中信号和噪声相关性的差异，将线列阵中2N‑1个阵元接收数据通过全相位预处理转变为N个阵元数据；然后对N个阵元数据进行处理，得到基于全相位预处理的MVDR波束输出。本发明方法对线列阵接收数据进行了全相位预处理，有效提高线列阵接收数据协方差矩阵中信号含有量和信噪比，降低了背景噪声和旁瓣级对MVDR波束形成检测弱目标带来的影响，提高了MVDR波束形成对弱目标检测的检测效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 相位 预处理 mvdr 波束 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于全相位预处理的MVDR波束形成方法，包括：根据线列阵接收数据中信号和噪声相关性的差异，将线列阵中2N‑1个阵元接收数据通过全相位预处理转变为N个阵元数据；然后对N个阵元数据进行处理，得到基于全相位预处理的MVDR波束输出。
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