[发明专利]带有功率半导体结构元件的功率半导体模块有效
| 申请号： | 201810018262.9 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108336051B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·克内贝尔;于尔根·斯蒂格;奥利弗·塔姆 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/07;H01L23/367 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨靖;车文 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种带有功率半导体结构元件的功率半导体模块，其还带有导电的负载衔接元件，其中，功率半导体模块具有不导电的绝缘层和底板，其中，绝缘层布置在迹线与底板的面朝绝缘层的主面之间并且负载衔接元件的接触区域沿与底板的主面的法线方向垂直的方向布置在绝缘层旁，其中，功率半导体结构元件通过复合薄膜与负载衔接元件导电连接，其中，复合薄膜具有背离底板的导电的第一薄膜和布置在第一薄膜与底板之间的不导电的第二薄膜，其中，第二薄膜的第一区域布置在底板与负载衔接元件的接触区域之间，以及第一薄膜的布置在负载衔接元件的接触区域与第二薄膜的第一区域之间的第一区域与负载衔接元件的接触区域导电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 功率 半导体 结构 元件 模块 | ||
【主权项】：
1.功率半导体模块，其带有布置在导电的迹线(3)上的功率半导体结构元件(2)以及带有导电的负载衔接元件(4)，其中，所述功率半导体模块(1)具有不导电的绝缘层(15)和底板(9)，其中，所述绝缘层(15)布置在所述迹线(3)与所述底板(9)的面朝所述绝缘层(15)的主面(9')之间并且所述负载衔接元件(4)的接触区域(4')沿与所述底板(9)的主面(9')的法线方向(N)垂直的方向布置在所述绝缘层(15)旁，其中，所述功率半导体结构元件(2)通过复合薄膜(5)与所述负载衔接元件(4)导电连接，其中，所述复合薄膜(5)具有背离所述底板(9)的导电的第一薄膜(6)和布置在所述第一薄膜(6)与所述底板(9)之间的不导电的第二薄膜(7)，其中，所述第二薄膜(7)的第一区域(7')布置在所述底板(9)与所述负载衔接元件(4)的接触区域(4')之间，以及所述第一薄膜(6)的布置在所述负载衔接元件(4)的接触区域(4')与所述第二薄膜(7)的第一区域(7')之间的第一区域(6')与所述负载衔接元件(4)的接触区域(4')导电接触。
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