[发明专利]两级存储器全行写入有效

专利信息
申请号: 201810018846.6 申请日: 2016-02-26
公开(公告)号: CN108268382B 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: R·G·布兰肯希普;J·D·张伯伦;Y-C·刘;V·吉塔 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F12/08 分类号: G06F12/08;G06F12/02;G06F13/16
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘瑜;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 存储器控制器接收存储器无效请求,该存储器无效请求引用在具有远存储器和近存储器的两级系统存储器拓扑中的远存储器的行,识别近存储器的与该行对应的地址,并且在该地址处读取数据以确定在近存储器中是否存在该行的副本。如果该地址的数据包含远存储器的另一行的副本并且该另一行的该副本是“脏的”,则该数据将被转储清除到远存储器。发送针对存储器无效请求的“完成”,以指示一致性代理被授予对该行的独占访问权限。通过独占访问,将修改该行以生成该行的修改版本,并且将使用该行的修改版本重写近存储器的该地址。
搜索关键词: 两级 存储器 写入
【主权项】:
1.一种用于管理计算机存储器的装置,所述装置包括:转换存储器缓冲器(TMXB)设备,其与存储器相接合,所述存储器包括近存储器高速缓存和远存储器,其中,所述近存储器高速缓存包括所述远存储器的直接映射高速缓存,并且所述TMXB设备包括:接收器,用于接收对应于特定存储器地址的特定读取无效请求;调度器;以及存储器控制器,用于:基于所述特定读取无效请求,读取所述近存储器高速缓存的与所述特定存储器地址相对应的特定行;确定所述近存储器高速缓存的所述特定行中的与所述特定读取无效请求相对应的未命中;与所述特定读取无效请求相关联地识别与所述近存储器高速缓存中的存储器的所述特定行相关联的目录状态处于修改状态;以及基于所述未命中以及所述近存储器高速缓存中的存储器的所述特定行处于修改状态,使得所述近存储器高速缓存的所述特定行的数据被写入到所述远存储器的对应的行中。
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