[发明专利]一种二硫化钼电催化产氢电极及其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201810018879.0 申请日: 2018-01-09
公开(公告)号: CN108118362B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 魏玉轩;郭北斗;宫建茹 申请(专利权)人: 国家纳米科学中心
主分类号: C25B11/06 分类号: C25B11/06;C25B11/12;C25B1/04
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 100190 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种二硫化钼电催化产氢电极及其制备方法和用途,所述二硫化钼电催化产氢电极包括电极基底和负载在所述电极基底表面的二硫化钼纳米片阵列,所述二硫化钼纳米片阵列掺杂有Ni(II)和Co(II);所述二硫化钼纳米片阵列包括垂直于所述电极基底表面的一级纳米片和垂直于所述一级纳米片的二级纳米片。本发明二硫化钼电催化产氢电极具有多级次纳米片阵列结构,具有较大的电化学活性表面积,大幅提高二硫化钼的催化活性,表现出优异的产氢性能;且采用水热法在电极基底上沉积层状双金属氢氧化物,然后以其为牺牲模板,水热反应得到具有多级次结构的二硫化钼,同时实现了元素掺杂和结构优化,便于操作。
搜索关键词: 一种 二硫化钼 电催化 电极 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
一种二硫化钼电催化产氢电极,其特征在于,包括电极基底和负载在所述电极基底表面的二硫化钼纳米片阵列,所述二硫化钼纳米片阵列掺杂有Ni(II)和Co(II);所述二硫化钼纳米片阵列包括垂直于所述电极基底表面的一级纳米片和垂直于所述一级纳米片的二级纳米片。
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