[发明专利]钽酸镁系列晶体及其制备方法

摘要

本发明公开了一种钽酸镁系列晶体，即MgO‑Ta2O5赝二元体系，分别为Mg4Ta2O9、Mg3Ta2O8和MgTa2O6。还提供了制备钽酸镁系列晶体的方法，采用过量MgO或Mg(OH)2组分补偿，通过固相反应合成高纯MgTa2O6和Mg4Ta2O9粉料，并采用微下拉法生长出厘米级棒状MgTa2O6和Mg4Ta2O9单晶体；以Mg4Ta2O9和MgTa2O6作熔融起始物，采用自发成核技术，在MgTa2O6陶瓷籽晶棒上生长出厘米级棒状Mg3Ta2O8单晶体。本发明采用微下拉法，有效利用其生长界面附近的高温度梯度，实现快速、高均匀性结晶，有效利用后加热器避免热应力过大所导致的开裂问题。

主权项

1.一种钽酸镁晶体，其特征在于：其分子式为Mg4Ta2O9，属六方晶系，所属空间群为P‑3c1(165)，晶胞参数为a＝0.51625(10)nm、c＝1.4062(4)nm，密度为6.171g/cm3，精修结构常数为0.0356。