[发明专利]钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法有效
| 申请号： | 201810019438.2 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108269912B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李效民;黎冠杰;徐小科;高相东;毕志杰;陈永博 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;H01L41/316;H01L41/319 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜是由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体衬底上的TiO2缓冲层、钴酸锶镧缓冲层以及钛铌镁酸铅铁电薄膜构成；所述氮化镓半导体衬底的取向包括（0002）面，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜的外延取向为（111）面，所述钴酸锶镧缓冲层的外延取向为（111）面，所述TiO2缓冲层为金红石相、外延取向为（100）面。 | ||
| 搜索关键词： | 电薄膜 钛铌 缓冲层 外延取向 氮化镓半导体 氮化镓基外延 钴酸锶镧 衬底 制备 脉冲激光沉积技术 金红石相 取向 | ||
【主权项】：
1.一种钛铌镁酸铅铁电薄膜，其特征在于，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜是由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体衬底上的TiO2缓冲层、钴酸锶镧缓冲层以及钛铌镁酸铅铁电薄膜构成；所述氮化镓半导体衬底的取向包括（0002）面，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜的外延取向为（111）面，所述钴酸锶镧缓冲层的外延取向为（111）面，所述TiO2缓冲层为金红石相、外延取向为（100）面。
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