[发明专利]TFT基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201810020340.9 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108257976B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 高玲 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种TFT基板及其制作方法。该TFT基板包括：衬底基板、设于所述衬底基板的金属层、设于所述衬底基板和金属层上的绝缘层、设于所述绝缘层上的底公共电极以及设于所述绝缘层和底公共电极上的保护层；所述绝缘层具有暴露出金属层的第一过孔；所述底公共电极对应第一过孔的区域形成有第二过孔；所述底公共电极靠近第二过孔的边缘的厚度沿靠近第二过孔的方向逐渐减小，从而减小底公共电极靠近第二过孔的边缘的翘起角度，降低底切现象的发生几率，进而降低形成于底公共电极上的膜层出现剥离的风险，提高TFT基板的良率，使得液晶面板显示效果良好。 | ||
| 搜索关键词： | tft 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)的金属层(20)、设于所述衬底基板(10)和金属层(20)上的绝缘层(30)、设于所述绝缘层(30)上的底公共电极(40)以及设于所述底公共电极(40)上的保护层(50)；所述绝缘层(30)具有暴露出金属层(20)的第一过孔(31)；所述底公共电极(40)对应第一过孔(31)的区域形成有第二过孔(41)；所述底公共电极(40)的边缘的厚度沿靠近第二过孔(41)的方向逐渐减小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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