[发明专利]无机卤化铋钙钛矿电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810021993.9 申请日: 2018-01-10
公开(公告)号: CN108258119A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 袁国栋;刘文强;王琦;王军喜;李晋闽 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种无机卤化铋钙钛矿电池,其包括:透明导电衬底;电子传输层,形成于透明导电衬底上;钙钛矿吸光层,形成于电子传输层上,钙钛矿吸光层的材料为Cs2XBiY6,其中X=Ag、Na、K或Rb,Y=Cl、Br或I;空穴传输层,形成于钙钛矿吸光层上;以及电极,形成于空穴传输层上。进一步提供该无机卤化铋钙钛矿电池的制备方法,该制备方法简单、易重复。本公开利用物理化学性质稳定的全无机钙钛矿吸光层,替换了传统钙钛矿吸光层中有毒的铅组分,不仅提高钙钛矿电池在空气中的稳定性,而且有利于高效稳定安全的钙钛矿电池的工业化生产。
搜索关键词: 钙钛矿 吸光层 电池 卤化 制备 电子传输层 空穴传输层 透明导电 衬底 物理化学性质 无机钙钛矿 稳定安全 电极 替换 重复
【主权项】:
1.一种无机卤化铋钙钛矿电池,包括:透明导电衬底;电子传输层,形成于所述透明导电衬底上;钙钛矿吸光层,形成于所述电子传输层上,所述钙钛矿吸光层的材料为Cs2XBiY6,其中X=Ag、Na、K或Rb,Y=Cl、Br或I;空穴传输层,形成于所述钙钛矿吸光层上;以及电极,形成于所述空穴传输层上。
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