[发明专利]不含单独二极管膜的三维纵向一次编程存储器在审
| 申请号： | 201810022003.3 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN110021600A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种不含单独二极管膜的三维纵向一次编程存储器（3D‑OTPV）。它含有多个垂直堆叠的水平地址线，多个穿透水平地址线的存储井，一层覆盖存储井边墙的反熔丝膜，多条形成在存储井中的竖直地址线。存储井中不含单独的二极管膜。水平地址线和竖直地址线含有不同金属材料。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 水平地址 一次编程存储器 存储 地址线 井中 竖直 三维 金属材料 垂直堆叠 反熔丝膜 覆盖存储 边墙 穿透 | ||
【主权项】：
1.一种三维纵向一次编程存储器（3D‑OTPV），其特征还在于含有：一含有一衬底电路(0K)的半导体衬底(0)；多层处于该衬底电路(0K)之上、垂直堆叠的水平地址线(8a‑8h)，该水平地址线(8a‑8h)含有第一金属材料；至少一穿透所述多层水平地址线(8a‑8h)的存储井(2a)；一层覆盖该存储井(2a)边墙的反熔丝膜(6a)，在编程时该反熔丝膜(6a)从高电阻态不可逆转地转变为低电阻态；一条形成在该存储井(2a)中的竖直地址线(4a)，该竖直地址线(4a)含有第二金属材料；多个形成在该水平地址线(8a‑8h) 与该竖直地址线(4a)交叉处的OTP存储元(1aa‑1ha)；所述第一和第二金属材料为不同金属材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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