[发明专利]一种考虑铁芯深度饱和特性的单相双绕组变压器改进π模型获取方法有效
| 申请号： | 201810022236.3 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108256196B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 司马文霞;杨鸣;刘永来;袁涛;彭代晓 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G06F30/30 | 分类号： | G06F30/30;G01R27/26 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 武君 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种考虑铁芯深度饱和特性的单相双绕组变压器改进π模型获取方法，包括在变压器工作于非饱和区时，采用开路试验和短路试验确定其参数；在变压器铁芯工作于饱和区时，进行深度饱和试验，以交直流混合电源激励铁芯得到饱和状态，测试不同饱和程度下的端口视在增量电感；根据π模型电路结构计算两个励磁支路的饱和电感，再转换为励磁曲线数据，以饱和段的励磁曲线数据描述铁芯从开始饱和到深度饱和的渐变过程；根据以上数据，建立考虑铁芯深度饱和特性的单相双绕组变压器改进π模型。本发明建立的考虑铁芯深度饱和特性的单相双绕组变压器改进π模型，能够为EMTP类电磁暂态软件提供基础的变压器模型，提高其对变压器深度饱和物理现象的模拟能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 考虑 深度 饱和 特性 单相 绕组 变压器 改进 模型 获取 方法 | ||
【主权项】：
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