[发明专利]OLED单元及其制造方法、显示面板、显示装置在审
| 申请号： | 201810022621.8 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108054190A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 唐国强;徐映嵩 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种OLED单元及其制造方法、显示面板、显示装置，属于显示技术领域。所述OLED单元包括：设置在衬底基板上的第一电极层；设置在所述第一电极层远离所述衬底基板一侧的近红外发光层，所述近红外发光层用于发射近红外光；设置在所述近红外发光层远离所述衬底基板一侧的阻隔层，所述阻隔层由导电材料制成；设置在所述阻隔层远离所述衬底基板一侧的红光发光层，所述红光发光层用于发射红光；设置在所述红光发光层远离所述衬底基板一侧的第二电极层，所述第二电极层的极性与所述第一电极层的极性相反。本发明简化了显示面板的制造过程，并降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | oled 单元 及其 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种OLED单元，其特征在于，所述OLED单元包括：设置在衬底基板上的第一电极层；设置在所述第一电极层远离所述衬底基板一侧的近红外发光层，所述近红外发光层用于发射近红外光；设置在所述近红外发光层远离所述衬底基板一侧的阻隔层，所述阻隔层由导电材料制成；设置在所述阻隔层远离所述衬底基板一侧的红光发光层，所述红光发光层用于发射红光；设置在所述红光发光层远离所述衬底基板一侧的第二电极层，所述第二电极层的极性与所述第一电极层的极性相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
