[发明专利]大钻石单晶的制造方法在审
申请号: | 201810022943.2 | 申请日: | 2018-01-10 |
公开(公告)号: | CN110013798A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 臧波;陈龙;王海超;宋健民;刘建设 | 申请(专利权)人: | 河南烯碳合成材料有限公司 |
主分类号: | B01J3/06 | 分类号: | B01J3/06;C30B29/04 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;李岩 |
地址: | 461500 河南省长*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 一种大钻石单晶的制造方法,其为先将一触媒和一碳材料包覆在一钻石晶种的周围,而形成一晶种组件,接着,利用一高温高压设备对该晶种组件的各方向同时进行加压以及加热,使该晶种从一原始粒径成长至一第一粒径,最后,取出该晶种,并重复进行上述步骤,直至得到一具有一最终粒径的单晶钻石。藉由重复在该钻石晶种之外形成该触媒以及该碳材料,可以持续的供给合成钻石所需的该碳材料以及该触媒,并持续地对该晶种组件进行加压及加热,而可以满足制造钻石的环境条件,进而制造出大颗粒的该单晶钻石。 | ||
搜索关键词: | 晶种 钻石 碳材料 触媒 单晶钻石 制造 单晶 加热 加压 高温高压设备 合成钻石 原始粒径 最终粒径 大颗粒 重复 包覆 粒径 取出 | ||
【主权项】:
1.一种大钻石单晶的制造方法,其特征在于,包含有以下步骤:S1:将一触媒和一碳材料包覆在一钻石晶种的周围,而形成一晶种组件;S2:利用一高温高压设备对该晶种组件的各方向同时进行加压以及加热,使该钻石晶种从一原始粒径成长至一第一粒径;以及S3:取出该钻石晶种,并重复进行步骤S1~步骤S2,直至得到一具有一最终粒径的单晶钻石。
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