[发明专利]计算半导体器件的频率与电流关系的方法和装置有效
申请号: | 201810023190.7 | 申请日: | 2018-01-10 |
公开(公告)号: | CN108345712B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 袁嘉隆;柯攀;胡一峰;韩健 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集成电路有限公司 |
主分类号: | G06F30/367 | 分类号: | G06F30/367;G06F119/06 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请公开了一种计算半导体器件的频率与电流关系的方法和装置,半导体器件包括多个分层,计算半导体器件的频率与电流的方法包括:获取半导体器件的基础参数;基于热扩散角原理根据基础参数计算半导体器件的结壳稳态热阻,以及根据基础参数获得半导体器件的总功耗的表达式,表达式是结温、工作频率和集电极电流的函数;根据总功耗的表达式、结壳稳态热阻,利用一组预设的工作频率和集电极电流进行迭代计算,获得半导体器件的结温;在一组预设的工作频率和集电极电流当中,确定与获得的结温相对应的工作频率和集电极电流。 | ||
搜索关键词: | 计算 半导体器件 频率 电流 关系 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种计算半导体器件的频率与电流关系的方法,所述半导体器件包括多个分层,其特征在于,所述方法包括:获取所述半导体器件的基础参数;基于热扩散角原理根据所述基础参数计算所述半导体器件的结壳稳态热阻,以及根据所述基础参数获得所述半导体器件的总功耗的表达式,所述表达式是结温、工作频率和集电极电流的函数;根据所述总功耗的表达式与所述结壳稳态热阻,利用一组预设的工作频率和集电极电流进行迭代计算,获得所述半导体器件的结温;在所述一组预设的工作频率和集电极电流当中,确定与所述获得的结温相对应的工作频率和集电极电流。
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