[发明专利]瞬时响应的硅纳米线光学敏感材料及其制备方法和应用

摘要

本发明提供瞬时响应的硅纳米线光学敏感材料及其制备方法和应用，包括以下步骤,清洗N型硅片；将硅片放置氢氟酸和硝酸银混合溶液中进行刻蚀；利用硝酸水溶液对N型硅片进行二次刻蚀；制作双顶点电极制备得光敏传感器。通过该方法制备出对可见光有瞬时响应、高灵敏度的光敏传感器，该方法具有设备简单、操作方便、可重复性好、成本低廉环保等优点，可以更好的实现工业化生产。

主权项

1.瞬时响应的硅纳米线光学敏感材料，其特征在于，以N型硅片为基底，在N型硅片上自上而下生长垂直于N型硅片表面的硅纳米线阵列，硅纳米线直径为50—100nm，长度为20—25微米，纳米线阵列排列密度为60—80％。