[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810024081.7 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108269815A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 杨龙康;林宗德;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种CMOS图像传感器及其形成方法，所述CMOS图像传感器包括：基底层，包括多个光电器件；金属互连层，位于所述基底层上；多个间隔排列的微透镜，位于所述金属互连层上且分别对应于所述多个光电器件；多个滤色片，对应覆盖所述多个微透镜；隔离介质，填充所述微透镜之间的间隔，所述隔离介质的厚度大于或等于所述微透镜的高度和滤色片的厚度之和，所述隔离介质的折射率小于所述滤色片的折射率。本发明技术方案提高了CMOS图像传感器的填充因子，减小了光线的串扰，由此提高了CMOS图像传感器的光学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 微透镜 隔离介质 滤色片 金属互连层 光电器件 基底层 折射率 光学性能 间隔排列 填充因子 串扰 减小 填充 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：基底层，包括多个光电器件；金属互连层，位于所述基底层上；多个间隔排列的微透镜，位于所述金属互连层上且分别对应于所述多个光电器件；多个滤色片，对应覆盖所述多个微透镜；隔离介质，填充所述微透镜之间的间隔，所述隔离介质的厚度大于或等于所述微透镜的高度和滤色片的厚度之和，所述隔离介质的折射率小于所述滤色片的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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