[发明专利]减薄工艺的揭膜方法有效
申请号: | 201810024846.7 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN108565244B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 郁新举 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种减薄工艺的揭膜方法,包括步骤:步骤一、提供晶圆,晶圆的正面结构会形成台阶。步骤二、在晶圆的正面贴上正面保护膜,贴膜后在台阶的侧面和正面保护膜之间会形成气泡。步骤三、对晶圆进行背面减薄。步骤四、将减薄后的晶圆放进一个密封的腔体内并抽真空;利用台阶侧面的气泡和腔体的真空环境形成的压力差将正面保护膜的部分区域剥离以减少粘性力。步骤五、在正面保护膜的揭除机器中将粘性力减小后的正面保护膜揭除。本发明能降低揭膜过程中的碎片率。 | ||
搜索关键词: | 工艺 方法 | ||
【主权项】:
1.一种减薄工艺的揭膜方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供一晶圆,在所述晶圆的正面形成有半导体器件的正面结构,且所述半导体器件的正面结构会在所述晶圆的正面形成台阶;步骤二、在所述晶圆的正面贴上减薄用的正面保护膜,由于所述台阶的存在,所述台阶的侧面和所述正面保护膜之间会形成气泡;步骤三、对所述晶圆进行背面减薄;步骤四、将减薄后的所述晶圆放进一个密封的腔体内并对所述腔体抽真空;在所述腔体的真空环境中,利用所述台阶侧面的气泡和所述腔体的真空环境形成的压力差将所述正面保护膜的部分区域剥离,所述腔体的真空度越高,所述正面保护膜被剥离的区域越大,所述正面保护膜和所述晶圆正面之间的粘性力越小;步骤五、在所述正面保护膜的揭除机器中将粘性力减小后的所述正面保护膜从所述晶圆正面揭除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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