[发明专利]减薄工艺的揭膜方法有效

专利信息
申请号: 201810024846.7 申请日: 2018-01-11
公开(公告)号: CN108565244B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 郁新举 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种减薄工艺的揭膜方法,包括步骤:步骤一、提供晶圆,晶圆的正面结构会形成台阶。步骤二、在晶圆的正面贴上正面保护膜,贴膜后在台阶的侧面和正面保护膜之间会形成气泡。步骤三、对晶圆进行背面减薄。步骤四、将减薄后的晶圆放进一个密封的腔体内并抽真空;利用台阶侧面的气泡和腔体的真空环境形成的压力差将正面保护膜的部分区域剥离以减少粘性力。步骤五、在正面保护膜的揭除机器中将粘性力减小后的正面保护膜揭除。本发明能降低揭膜过程中的碎片率。
搜索关键词: 工艺 方法
【主权项】:
1.一种减薄工艺的揭膜方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供一晶圆,在所述晶圆的正面形成有半导体器件的正面结构,且所述半导体器件的正面结构会在所述晶圆的正面形成台阶;步骤二、在所述晶圆的正面贴上减薄用的正面保护膜,由于所述台阶的存在,所述台阶的侧面和所述正面保护膜之间会形成气泡;步骤三、对所述晶圆进行背面减薄;步骤四、将减薄后的所述晶圆放进一个密封的腔体内并对所述腔体抽真空;在所述腔体的真空环境中,利用所述台阶侧面的气泡和所述腔体的真空环境形成的压力差将所述正面保护膜的部分区域剥离,所述腔体的真空度越高,所述正面保护膜被剥离的区域越大,所述正面保护膜和所述晶圆正面之间的粘性力越小;步骤五、在所述正面保护膜的揭除机器中将粘性力减小后的所述正面保护膜从所述晶圆正面揭除。
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