[发明专利]TMBS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种TMBS器件，包括：在N型外延层中形成有多个沟槽栅结构，沟槽栅结构的栅介质层分成两部分，位于沟槽的侧面顶部部分的第二栅介质层材料的介电常数大于沟道的侧面底部的第一栅介质层的二氧化硅的介电常数。第二栅介质层覆盖沟槽的侧面的深度大于等于肖特基金属接触的结深，用以减少肖特基金属接触区域的电场强度，从而减少TMBS器件的反向漏电流；位于肖特基金属接触区域底部的N型外延层被第一栅介质层侧面覆盖而具有较好的电场强度分布从而能消除第二栅介质层对器件的反向击穿电压的影响。本发明还公开了一种TMBS器件的制造方法。本发明能降低器件的反向漏电流同时使器件的反向击穿电压以及正向导通电压得到保持。

主权项

1.一种TMBS器件，其特征在于，包括：在N型外延层中形成有多个沟槽栅结构，各所述沟槽栅结构包括沟槽以及形成于各所述沟槽中的内部表面形成有栅介质层以及填充在形成有所述栅介质层的各所述沟槽中的多晶硅栅；所述栅介质层分成两部分，第一部分为由二氧化硅层组成的第一栅介质层，所述第一栅介质层形成于所述沟槽的底部表面和侧面的底部部分；第二部分为由介电常数高于二氧化硅层的绝缘材料组成的第二栅介质层，所述第二栅介质层位于所述沟槽的侧面的顶部部分，所述第二栅介质层的底部和所述第一栅介质层的底部相接，所述第二栅介质层的顶部和所述沟槽的顶部表面相平；正面金属层覆盖在所述沟槽栅结构表面以及所述沟槽外的所述N型外延层表面；所述正面金属层引出正极；所述正面金属层和对应的所述N型外延层相接触形成肖特基金属接触，所述第二介质层覆盖所述沟槽的侧面的深度大于等于所述肖特基金属接触的结深，所述第二栅介质层侧面覆盖所述肖特基金属接触并利用所述第二栅介质层的介电常数更高的特性来减少所述肖特基金属接触区域的电场强度，从而减少TMBS器件的反向漏电流；位于所述肖特基金属接触区域底部的所述N型外延层被所述第一栅介质层侧面覆盖用以使所述肖特基金属接触区域底部的所述N型外延层的电场强度由所述第一栅介质层确定并进而确定所述TMBS器件的反向击穿电压，消除所述第二栅介质层对所述TMBS器件的反向击穿电压的影响。