[发明专利]成像传感器像素及系统

摘要

本申请案涉及成像传感器像素及系统。一种成像传感器像素包括具有前侧及背侧的高电阻性N^‑掺杂半导体层。在所述前侧处，至少存在光感测区域、邻近于所述光感测区域的转移栅极及P阱区域。所述P阱区域环绕所述光感测区域及所述转移栅极区域，且至少包括浮动扩散区域及在所述浮动扩散区域外部的第一电极，其中第一负电压被施加到所述第一电极。所述转移栅极耦合于所述光感测区域与所述浮动扩散区域之间。在所述背侧处，存在背侧P⁺掺杂层，所述背侧P⁺掺杂层包括形成于所述背侧P⁺掺杂层上的第二电极，其中第二负电压被施加到所述第二电极。所述第二负电压比所述第一负电压更负。

主权项

1.一种成像传感器像素，其包括：高电阻性N^‑掺杂半导体层，其具有前侧及背侧；光感测区域，其形成于所述前侧处；转移栅极，其形成于所述前侧处，邻近于所述光感测区域；P阱区域，其形成于所述前侧处，环绕所述光感测区域及所述转移栅极；浮动扩散区域，其形成于所述P阱区域内，其中所述转移栅极经配置以耦合于所述光感测区域与所述浮动扩散区域之间；第一电极，其耦合到所述P阱区域，其中所述第一电极不与所述浮动扩散区域接触，且其中第一负电压被施加到所述第一电极；背侧P⁺掺杂层，其形成于所述背侧处；及第二电极，其耦合到所述背侧P⁺掺杂层，其中第二负电压被施加到所述第二电极，且所述第二负电压比所述第一负电压更负。