[发明专利]具有P型二维材料栅极增强型氮化镓场效应器件的制备方法有效
| 申请号： | 201810025887.8 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108365008B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 梁世博 | 申请（专利权）人： | 北京华碳科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 邱晓锋 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有P型二维材料栅极氮化镓基场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：在单晶衬底上依次外延缓冲层、沟道层、势垒层、界面控制层得到外延衬底；在外延衬底上的源极和漏极区域沉积源漏金属，并形成欧姆接触；在外延衬底上方沉积二维材料层；定义栅极金属区域，沉积栅极金属；利用富氧气氛对栅源，栅漏之间二维材料进行氧化处理；在界面控制层表面沉积介质钝化层；形成源漏电极与栅极的接触孔。使用P型二维材料来替代传统P‑GaN层，利用P型二维材料来耗尽底下二维电子气，形成增强型场效应晶体管，用氧化的方法替代刻蚀，可以减小对势垒层表面的损伤，从而克服现有技术的困难。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 二维 材料 栅极 增强 氮化 场效应 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.具P型二维材料栅极增强型氮化镓场效应器件的制备方法，其包括以下步骤：在单晶衬底上依次外延缓冲层、沟道层、势垒层、界面控制层得到外延衬底；在外延衬底上的源极和漏极区域沉积源漏金属，并形成欧姆接触；在外延衬底上方沉积二维材料层；定义栅极金属区域，沉积栅极金属；利用富氧气氛对栅源，栅漏之间二维材料进行氧化处理；在界面控制层表面沉积介质钝化层；形成源漏电极与栅极的接触孔。
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