[发明专利]具有石墨烯散热层的倒装结构的氮化镓基功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810025888.2 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108376705B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 梁世博 | 申请（专利权）人： | 北京华碳科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L21/50;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 邱晓锋 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有石墨烯散热层的倒装结构的氮化镓基功率器件及其制备方法。该氮化镓基功率器件包括自下而上分布的基板、绝缘介质层、电极焊盘、GaN基HEMT器件、石墨烯材料；所述电极焊盘包括源电极焊盘、漏电极焊盘、栅电极焊盘；所述GaN基HEMT器件包括外延层结构和栅电极、源电极和漏电极；所述GaN基HEMT器件的电极通过所述电极焊盘与基板粘合连接，实现倒装的封装结构；在倒装的所述GaN基HEMT器件的衬底材料上采用所述石墨烯材料作为散热材料。本发明的HEMT器件与散热薄膜通过电极焊盘连接，并且倒装结构中HEMT衬底上面采用石墨烯作为散热层，提升了器件的散热效率，利于提升器件的长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 石墨 散热 倒装 结构 氮化 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有石墨烯散热层的倒装结构的氮化镓基功率器件，其特征在于，包括自下而上分布的基板、绝缘介质层、电极焊盘、GaN基HEMT器件、石墨烯材料；所述电极焊盘包括源电极焊盘、漏电极焊盘、栅电极焊盘；所述GaN基HEMT器件包括外延层结构和栅电极、源电极和漏电极；所述GaN基HEMT器件的电极通过所述电极焊盘与基板粘合连接，实现倒装的封装结构；在倒装的所述GaN基HEMT器件的衬底材料上采用所述石墨烯材料作为散热材料。
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