[发明专利]一种GaN基HEMT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810025898.6 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108376706A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 梁世博 | 申请（专利权）人： | 北京华碳科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 邱晓锋 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种GaN基HEMT器件及其制造方法，该器件结构包括衬底、GaN层、AlxGa1‑xN层、AlN层、Al2O3介质层、SiO2介质层、SiN侧墙、栅金属层、栅金属电极以及源漏金属电极，其中，采用Al2O3/AlN材料作为刻蚀腐蚀截止层，以SiN为侧墙，配合Al2O3介质共同在栅金属处，实现刻蚀与腐蚀相结合的GaN栅槽工艺，降低刻蚀对栅槽的影响，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 介质层 栅金属 侧墙 腐蚀 源漏金属电极 器件结构 栅金属层 电极 截止层 衬底 对栅 栅槽 制造 配合 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基HEMT器件，包括：一衬底；在衬底上外延生长成的一GaN层；在GaN层上生长成的一AlxGa1‑xN层；在AlxGa1‑xN层上生长成的一AlN层；在AlN层上生长成的一Al2O3介质层；在Al2O3介质层上生长成的一SiO2介质层；在SiO2介质层上制作成的一栅槽及在该栅槽内形成的两SiN侧墙；在所述栅槽内的两SiN侧墙之间形成的一栅金属层；在栅金属层上制作的一栅金属电极；在AlxGa1‑xN层上制作的两源漏金属电极。
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