[发明专利]一种GaN基增强型HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810025970.5 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108376707A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 梁世博 | 申请（专利权）人： | 北京华碳科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 邱晓锋 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种GaN基增强型HEMT器件及其制备方法。该器件包括衬底及外延层，外延层从下至上依次包括缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型AlGaN势垒层，还包括AlGaN氧化层、钝化层、源漏金属层和栅金属层。源漏金属层蒸镀在源漏极区域的AlGaN势垒层之上，栅金属层叠置在P型AlGaN势垒层之上，AlGaN氧化层侧壁与P型AlGaN势垒层侧壁相接，AlGaN氧化层处于源漏极和P型AlGaN势垒层之间。本发明的P型AlGaN作为栅极势垒层可以将栅极沟道处的二维电子气耗尽，该HEMT器件为增强型；可以实现自对准氧化，同时避免了刻蚀P型AlGaN单晶层时带来的离子损伤等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 增强型HEMT器件 源漏金属层 外延层 氧化层 制备 二维电子气 氧化层侧壁 源漏极区域 离子损伤 栅极沟道 栅金属层 单晶层 钝化层 缓冲层 源漏极 增强型 栅金属 自对准 侧壁 衬底 刻蚀 蒸镀 耗尽 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基增强型HEMT器件，其特征在于，包括衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型AlGaN势垒层，AlGaN氧化层、钝化层、源漏金属层和栅金属层；所述缓冲层叠置在所述衬底之上；所述GaN沟道层叠置在所述缓冲层之上：所述AlGaN势垒层叠置在所述GaN沟道层之上；所述P型AlGaN势垒层叠置在所述AlGaN势垒层之上靠近一侧的位置；所述AlGaN氧化层叠置在所述AlGaN势垒层之上，且其一侧与所述P型AlGaN势垒层相接；所述源漏金属层叠置在所述AlGaN势垒层之上的两侧，且其靠近栅极一侧与所述AlGaN氧化层相接；所述钝化层叠置在所述AlGaN氧化层之上；所述栅金属层叠置在所述P型AlGaN势垒层上。
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