[发明专利]通过局部电位测量进行的纳米孔感测有效

专利信息
申请号: 201810026232.2 申请日: 2011-04-29
公开(公告)号: CN108051578B 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: C.M.利伯;P.谢 申请(专利权)人: 哈佛大学校长及研究员协会
主分类号: G01N33/487 分类号: G01N33/487;G01N27/447;C12Q1/6869;B82Y30/00;B82Y15/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 马蔚钧;黄希贵
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及通过局部电位测量进行的纳米孔感测,其中提供了设置在支撑结构中的纳米孔,具有在第一流体储存器与纳米孔入口之间的流体连接和在第二流体储存器与纳米孔出口之间的第二流体连接。第一缓冲浓度的第一离子溶液设置在第一储存器中,不同于第一浓度的第二缓冲浓度的第二离子溶液设置在第二储存器中,纳米孔提供了第一与第二储存器之间的唯一流体连通路径。在纳米孔传感器中的位置上设置有电连接,其在目标物移位通过两个储存器之间的纳米孔时产生表示局部到纳米孔传感器中的至少一个位点的电位的电信号。
搜索关键词: 通过 局部 电位 测量 进行 纳米 孔感测
【主权项】:
1.一种感测分子通过纳米孔的移位的方法,包括:将位于具有第一离子浓度的第一离子溶液中的分子引导至纳米孔的入口;使该分子移位通过所述纳米孔自所述纳米孔的入口至该纳米孔的出口,并进入具有不同于所述第一离子浓度的第二离子浓度的第二离子溶液;以及在所述分子移位通过所述纳米孔时,测量所述第一和第二离子溶液中具有较低离子浓度的那个离子溶液的局部电位。
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