[发明专利]钛片基底上镍掺杂二硫化铁纳米线阵列结构的合成方法有效
申请号: | 201810026458.2 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN108321388B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 杨金虎;刘光磊;冯楠;孟瑞晋;祖连海;冯宇通 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | H01M4/58 | 分类号: | H01M4/58;H01M10/0525;B82Y30/00;B01J27/043 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及钛片基底上镍掺杂二硫化铁纳米线阵列结构的合成方法,配制含铁盐、镍盐、硫酸钠及尿素的混合水溶液,投入干净钛片,经水热反应得到了原位生长于钛片基底表面的镍掺杂氢氧化氧铁纳米线阵列;将前驱体置于管式炉中进行高温气相硫化利用氩气进行气氛保护,得到了组装于钛片基底的镍掺杂二硫化铁纳米线阵列。本发明方法操作简便、重复性好,得到的产物结构稳定,能够均匀且坚固地分布在钛片表面,可以直接作为二维电极材料应用于电化学设备中,同时经电解水测试,发现镍的掺杂大幅度提升了二硫化铁的电催化产氢活性及稳定性,而且有望进一步促进其在储能、光催化等领域的性能提升,扩展其应用范围。 | ||
搜索关键词: | 基底 掺杂 二硫化铁 纳米 阵列 结构 合成 方法 | ||
【主权项】:
1.钛片基底上镍掺杂二硫化铁纳米线阵列结构的合成方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)钛片基底上原位生长的镍掺杂氢氧化氧铁纳米线阵列的合成:将铁盐、镍盐、硫酸钠和尿素溶于去离子水中得到反应溶液,投入经超声处理过的干净裸钛片后置于高温下反应,反应结束后取出钛片,依次用乙醇和去离子水冲洗干净,于80℃烘干,得到原位生长的镍掺杂氢氧化氧铁纳米线阵列(Ni‑FeOOH/Ti);(2)钛片基底上镍掺杂二硫化铁纳米线阵列结构的合成:取步骤(1)制得的镍掺杂氢氧化氧铁纳米线阵列置于管式炉中,并称取足量的硫粉置于管式炉的气源端口,将管式炉用氩气进行反复冲洗从而排净空气,在一定流速的氩气气氛保护下,进行高温气相硫化,反应结束后待反应装置自然冷却至室温,取出组装于钛片基底的镍掺杂二硫化铁纳米线阵列,用乙醇和去离子水依次清洗,于80℃烘干,即制备得到镍掺杂二硫化铁纳米线阵列结构。
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