[发明专利]高电子移动率晶体管有效
| 申请号： | 201810026948.2 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110034171B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 林鑫成;林信志;林永豪 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊;郭晓宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高电子移动率晶体管，包括：缓冲层位于基板上；临界电压调整层位于缓冲层上；通道区位于缓冲层中，邻近缓冲层与临界电压调整层的介面；能带调整层，位于临界电压调整层上；第一增强层，顺应性地覆盖于临界电压调整层及能带调整层上；栅极电极，位于第一增强层上；及源极/漏极电极，分别位于栅极电极的两相对侧，穿过临界电压调整层及第一增强层，设于缓冲层上；其中临界电压调整层与第一增强层为三五族半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 移动 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种高电子移动率晶体管，其特征在于，包括：一缓冲层，位于一基板上；一临界电压调整层，位于该缓冲层上；一通道区，位于该缓冲层中，邻近该缓冲层与该临界电压调整层的一介面；一能带调整层，位于该临界电压调整层上；一第一增强层，顺应性地覆盖于该临界电压调整层及该能带调整层上；一栅极电极，位于该第一增强层上；及一源极/漏极电极，分别位于该栅极电极的两相对侧，穿过该临界电压调整层及该第一增强层，设于该缓冲层上；其中该临界电压调整层与该第一增强层为三五族半导体。
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