[发明专利]一种氮掺石墨烯材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810027213.1 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110028058B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;崔凌智;张艳锋 | 申请（专利权）人： | 北京石墨烯研究院;北京大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;C03C17/22 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李华;吴娅妮 |
| 地址： | 100095 北京市海淀区苏家*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮掺石墨烯材料及其制备方法。本发明的氮掺石墨烯材料由绝缘基底和位于所述绝缘基底上的氮掺石墨烯组成；且所述石墨烯位于所述绝缘基底的一面或两面。本发明还公开了上述氮掺石墨烯的制备方法，包括以下步骤：将绝缘基底置于化学气相沉积系统中进行化学气相沉积，引入碳源和氮源，沉积完毕降温至室温，得到所述绝缘基底氮掺石墨烯。本发明实现了氮掺石墨烯在各种各样的绝缘基底表面厚度可控的氮掺石墨烯薄膜的直接制备，制备出的氮掺石墨烯材料样品具有包罗万象的超级性质。本发明与传统的石墨烯材料(例如，石墨烯玻璃)直接生长相比，导电性有很大的提高，且能够实现功函可调，氮掺石墨烯厚度控制精确，可重复性强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮掺石墨烯材料，其特征在于，所述氮掺石墨烯材料由绝缘基底和位于所述绝缘基底上的氮掺石墨烯组成；且所述石墨烯位于所述绝缘基底的一面或两面；所述石墨烯的厚度为1‑100个原子层；所述氮的掺杂浓度为0.5％‑12％。
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