[发明专利]一种多元醇硼酸酯络合物硼扩散源及其制备方法在审
申请号: | 201810027331.2 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN108257857A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 仝华;孙辛杰;杨云霞;袁双龙;袁晓;赵画 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/228 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200237 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提出了一种适用于旋涂硼扩散制程的多元醇硼酸酯络合物硼扩散源。该硼源以多元醇和硼酸为原料,以二元醇醚为溶剂,通过多元醇和硼酸的络合作用制备多元醇硼酸酯络合物硼源。所述硼源的n(多元醇/硼酸)为0‑0.5,硼酸在溶剂中的质量百分比为1‑10wt%。将硼酸和多元醇先后加入溶剂中,在60‑90℃下搅拌0.5‑1h,停止加热后继续搅拌0.5‑1h得到澄清溶液。所得多元醇硼酸酯络合物硼源通过旋涂硼扩散制程,可在电阻率为1‑3Ω·cm的N型硅片上得到30‑150Ω/□的方块电阻,p‑n结长度为0.1‑0.5μm。该硼源的浓度和纯度高,适用于旋涂硼扩散制程。其制备方法简单易行、合成条件温和、材料成本低,适于大规模生产和使用。 | ||
搜索关键词: | 多元醇 硼扩散 硼源 络合物 硼酸酯 硼酸 溶剂 旋涂 制程 制备 醇和硼酸 质量百分比 材料成本 澄清溶液 二元醇醚 方块电阻 合成条件 络合作用 停止加热 种多元醇 电阻率 | ||
【主权项】:
1.一种多元醇硼酸酯络合物硼扩散源及其制备方法,其特征在于硼源由多元醇和硼酸形成的络合物以及二元醇醚类溶剂组成,其制备方法是:按设定的硼浓度和n(多元醇/硼酸)称取硼酸、多元醇和溶剂,先将硼酸倒入溶剂中加热搅拌,待其溶解后再将多元醇加入溶液中继续加热搅拌,随后停止加热并继续搅拌至室温。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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