[发明专利]腔式黑体辐射源以及腔式黑体辐射源的制备方法在审
申请号: | 201810027421.1 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN110031105A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 魏洋;王广;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | G01J5/00 | 分类号: | G01J5/00;G01J5/52 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种腔式黑体辐射源以及腔式黑体辐射源的制备方法。所述腔式黑体辐射源包括一黑体辐射腔,该黑体辐射腔具有一内表面,所述黑体辐射腔的内表面设置有碳纳米管层状结构,该碳纳米管层状结构包括多个碳纳米管,且该碳纳米管层状结构形成有多个微孔。所述腔式黑体辐射源的制备方法包括以下步骤:S11,提供一黑体辐射腔,该黑体辐射腔具有一内表面;S12,提供一支撑体,将所述碳纳米管层状结构缠绕在所述支撑体表面形成碳纳米管管状结构;S13,将所述碳纳米管管状结构插入所述黑体辐射腔内,使所述碳纳米管层状结构与所述黑体辐射腔的内表面紧密结合,并去除所述支撑体。 | ||
搜索关键词: | 黑体辐射腔 黑体辐射源 碳纳米管层状结构 内表面 制备 支撑体 碳纳米管管状结构 成碳纳米 管状结构 碳纳米管 面形 微孔 种腔 去除 缠绕 支撑 | ||
【主权项】:
1.一种腔式黑体辐射源,该腔式黑体辐射源包括一黑体辐射腔,该黑体辐射腔具有一内表面,其特征在于,所述黑体辐射腔的内表面设置有碳纳米管层状结构,该碳纳米管层状结构包括多个碳纳米管,且该碳纳米管层状结构形成有多个微孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司,未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810027421.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。