[发明专利]腔式黑体辐射源在审
| 申请号： | 201810027426.4 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110031116A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;王广;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/52 | 分类号： | G01J5/52;G01J5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种腔式黑体辐射源。所述腔式黑体辐射源包括黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面，该黑体辐射腔的内表面设置碳纳米管复合材料，该碳纳米管复合材料包括黑漆以及多个碳纳米管，该多个碳纳米管直立在所述黑漆中。 | ||
| 搜索关键词： | 黑体辐射腔 黑体辐射源 碳纳米管复合材料 碳纳米管 内表面 黑漆 直立 种腔 | ||
【主权项】：
1.一种腔式黑体辐射源，该腔式黑体辐射源包括一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面，其特征在于，所述黑体辐射腔的内表面设置碳纳米管复合材料，该碳纳米管复合材料包括黑漆以及多个碳纳米管，该多个碳纳米管直立在所述黑漆中。
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